| 发明名称 | 一种晶体硅RIE制绒前的表面预处理工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶体硅RIE制绒前的表面预处理工艺，包括如下步骤：(1)超声波预清洗；(2)采用碱性腐蚀液进行腐蚀；所述碱性腐蚀液为NaOH、NaClO与H<sub>2</sub>O的混合液；(3)去离子水清洗；(4)采用酸性混合溶液进行清洗；(5)去离子水清洗。本发明采用特制的碱性腐蚀液腐蚀去除线切割损伤层，较现有的强酸体系更容易控制，其工艺方法和设备成本更低；采用本发明的方法制备得到的太阳电池，其开路电压明显提高，电池效率提高了0.25%，取得了意想不到的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN104404627A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410577812.2 | 申请日期 | 2014.10.24 |
| 申请人 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 | 发明人 | 邹帅;党继东;王栩生 |
| 分类号 | C30B33/10(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人 | 陆金星 |
| 主权项 | 一种晶体硅RIE制绒前的表面预处理工艺，其特征在于，包括如下步骤：(1) 对原始硅片进行超声波预清洗；(2) 采用碱性腐蚀液对步骤(1)得到的硅片进行腐蚀；温度为25~90℃，反应时间为2~10 min；所述碱性腐蚀液为NaOH、NaClO与H<sub>2</sub>O的混合液，其中，NaOH的摩尔浓度为1~2 mol/L，NaClO的摩尔浓度为1~2mol/L；(3) 去离子水清洗；(4) 采用酸性混合溶液进行清洗；(5) 去离子水清洗。 | ||
| 地址 | 215129 江苏省苏州市高新区鹿山路199号 | ||