图像传感器的互连封装方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器的互连封装方法，该方法包括：先在晶圆器件面用于制作封装连线的区域制作导电沟道，然后在晶圆器件面用于制作器件的区域制作图像传感器，并在用于制作封装连线的区域制作用于电连接导电沟道和图像传感器的连接结构，最后在晶圆另一面进行刻蚀，形成与导电沟道导通的硅通孔。该方法还包括：在沟道中填充掺杂多晶硅或金属，使导电沟道与CMOS图像传感器的导电栓塞排列形成电接触，并与CMOS图像传感器的金属层和电极形成互连。本发明提供的方法改进了硅通孔法，使刻蚀更容易进行，减小了硅通孔的深宽比，使硅通孔绝缘层和导电金属的填充更加容易，提高了产品成品率。

主权项

一种图像传感器的互连封装方法，包括：在晶圆器件面用于制作封装连线的区域制作导电沟道，所述制作导电沟道的过程为：在有源区隔离阶段，在晶圆器件面用于制作封装连线的区域增加沟道区，在沉积二氧化硅作为绝缘介质后，沟道区的二氧化硅进行光刻和部分刻蚀，然后在沟道区内沉积导电材料作为导电介质，最后对导电沟道进行化学机械研磨，去除多余的表面导电材料和二氧化硅绝缘介质；在所述晶圆器件面用于制作器件的区域制作图像传感器，并在所述导电沟道上方加入CMOS图像传感器的导电栓塞排列、金属层和电极；在晶圆另一面进行刻蚀，形成硅通孔，所述硅通孔与导电沟道导通；在硅通孔内壁沉积绝缘薄膜；在绝缘薄膜沉积后，刻蚀掉导电沟道下方的绝缘薄膜；在硅通孔中填入金属。