利用自清洁熔炉制造铜铟二硒化物半导体膜的方法

摘要

本发明提供了用于薄膜光伏材料的硒化的自清洁大规模方法和熔炉系统。本发明的利用自清洁熔炉制造铜铟二硒化物半导体膜的方法包括将多个基板转移至熔炉中，熔炉包括处理区域和至少一个与处理区域可拆卸接合的端帽区域，将多个基板中的每一个相对于重力方向垂直定向而设置，用数字N限定多个基板，其中N大于5，每个基板具有铜和铟复合结构。该方法还包括将包括氢物质和硒化物物质以及载气的气态物质引入熔炉中并将热能转移入熔炉中，从而使温度从第一温度升高至第二温度，第二温度的范围为约350℃至约450℃，以在每个基板上至少开始由铜和铟复合结构形成铜铟二硒化物膜；使熔炉的处理区域的内部区域的残余硒化物物质分解。

主权项

一种利用自清洁熔炉制造铜铟二硒化物半导体膜的方法，包括：将多个基板转移至熔炉中，所述熔炉包括处理区域和至少一个与所述处理区域可拆卸接合的端帽区域，将所述多个基板中的每一个相对于重力方向垂直定向而设置，用N限定所述多个基板，其中N大于5，每一个基板具有铜和铟复合结构；将包括氢物质和硒化物物质以及载气的气态物质引入所述熔炉中，并将热能转移到所述熔炉中，以使温度从第一温度升高至第二温度，所述第二温度的范围是从350℃至450℃，从而在每一个所述基板上至少开始由铜和铟复合结构形成铜铟二硒化物膜；使所述熔炉的所述处理区域的内部区域的残余硒化物物质分解；在于第三温度下操作的端帽区域的附近沉积元素硒物质；并且通过至少使所述处理区域的内部区域的残余硒化物物质分解而保持内部区域为基本上没有元素硒物质，其中在室的端帽和内部区域之间添加挡板。