一种扩大铝线干法刻蚀腐蚀缺陷工艺窗口的方法

摘要

本发明公开了一种扩大铝线干法刻蚀腐蚀缺陷工艺窗口的方法，其中，具体包括如下步骤：于一半导体基底上形成一复合金属结构，所述复合金属结构由下向上依次为氧化硅层、第一阻挡层、金属层、第二阻挡层、绝缘抗反射层和图案化的光阻材料层；对所述半导体基底上的复合金属结构进行刻蚀以形成图案化的复合金属结构；清除所述半导体基底上的复合金属结构表面的光阻材料层以及因刻蚀产生于所述复合金属结构顶部表面的聚合物；利用氩气等离子体和氧气等离子体去除所述复合金属结构侧壁上因刻蚀产生的聚合物。本发明的有益效果是：能够增大铝线的抗腐蚀特性，从而增大了铝线腐蚀缺陷的工艺窗口，减少因腐蚀缺陷造成晶圆报废的可能性。

主权项

一种扩大铝线干法刻蚀腐蚀缺陷工艺窗口的方法，其特征在于，具体包括如下步骤：步骤a、于一半导体基底上形成一复合金属结构，所述复合金属结构由下向上依次为氧化硅层、第一阻挡层、金属层、第二阻挡层、绝缘抗反射层和图案化的光阻材料层，其中，所述金属层为铝层；步骤b、对所述半导体基底上的复合金属结构进行干法刻蚀以形成图案化的复合金属结构，形成铝线布线图案；步骤c、清除所述半导体基底上的复合金属结构表面的光阻材料层以及因刻蚀产生于所述复合金属结构顶部表面的聚合物；步骤d、利用氩气等离子体和氧气等离子体去除所述复合金属结构侧壁上因刻蚀产生的聚合物；步骤e、通过清洗去除所述复合金属结构上的刻蚀残余物；步骤f、于所述复合金属结构表面形成用以隔离大气的保护膜；其中，所述步骤d中利用氩气等离子体和氧气等离子体去除所述复合金属结构侧壁上因刻蚀产生的聚合物的方法具体包括如下步骤：步骤d1、于主刻蚀腔内利用氩气等离子体对所述复合金属结构进行20秒处理，所述主刻蚀腔的参数为压力8mT、源射频功率600W、偏置射频功率30W、氩气300sccm、阴极温度30度，主刻蚀腔腔壁温度50度；步骤d2、于所述主刻蚀腔内利用氧气等离子体对所述复合金属结构进行30秒处理，所述主刻蚀腔的参数为压力12mT、源射频功率600W、偏置射频功率50W、氧气400sccm、阴极温度30度，主刻蚀腔腔壁温度50度。