具有位错结构的半导体器件及其形成方法

摘要

公开了具有双层位错的半导体器件和制造该半导体器件的方法。示例性半导体器件和用于制造半导体器件的方法提高了载流子迁移率。该方法包括提供具有栅极叠层的衬底。该方法进一步包括：对衬底实施第一预非晶注入工艺，并且在衬底的上方形成第一应力膜。该方法还包括对衬底和第一应力膜实施第一退火工艺。该方法进一步包括：对经过退火的衬底实施第二预非晶注入工艺，在衬底的上方形成第二应力膜，对衬底和第二应力膜实施第二退火工艺。本发明还提供了一种具有位错结构的半导体器件及其形成方法。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有栅极叠层的衬底；对所述衬底实施第一预非晶注入工艺；在所述衬底的上方形成第一应力膜；对所述衬底和所述第一应力膜实施第一退火工艺，形成第一应激源区域；对经过退火的所述衬底实施第二预非晶注入工艺；在所述衬底的上方形成第二应力膜；以及对所述衬底和所述第二应力膜实施第二退火工艺，形成第二应激源区域，其中，在所述第一退火工艺期间，第一位错形成在所述衬底的第一应激源区域中，在所述第二退火工艺期间，第二位错形成在所述衬底的第二应激源区域中，所述第一位错从所述第一应激源区域延伸穿过所述第二应激源区域。