| 主权项 |
一种自我对准间隔之多重图案化方法，包括：(a)提供包括待图案化之一层或多层层体之半导体基板；(b)将第一光敏组成物之第一层涂覆于该待图案化之一层或多层层体上，其中，该第一光敏组成物包括第一树脂组份及第一光活化组份；(c)通过图案化光遮罩将该第一层曝光于活化辐射；(d)显影该经曝光之第一层以形成阻剂图案；(e)于硬烘烤制程中热处理该阻剂图案；(f)使用可有效地使该阻剂图案之表面呈硷性之材料处理该经硬烘烤之阻剂图案；(g)将第二光敏组成物之第二层涂覆于该待图案化之一层或多层层体上并与该阻剂图案之硷性表面接触，该第二光敏组成物包括第二树脂组份及光酸产生剂；(h)将该第二层曝光于活化辐射；以及(i)显影该经曝光之第二层以于该待图案化之一层或多层层体上形成间隔，该间隔包括在该第二层之显影过程中该第二层之未被去除部分，且该间隔系设置在该第一阻剂图案之侧壁。
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