| 主权项 |
一种遮罩半导体装置，该装置包括：具有复数个半导体装置之一半导体基板，其具有形成于其内之该复数个半导体装置之复数个主动区域，该半导体基板具有一表面；一层间介电质，该层间介电质覆盖该半导体基板之该表面；一第一复数个导体，该第一复数个导体覆盖该层间介电质并且电连接至该复数个半导体装置之至少一个半导体装置，其中该第一复数个导体传导下列其中之一：电、电公共参考、或由该复数个半导体装置形成之电信号；一钝化层，其用以保护该遮罩半导体装置不受污染物影响，该钝化层覆盖该第一复数个导体及该层间介电质；一第一介电质层，该第一介电质层覆盖该第一复数个导体；一金属层，该金属层在该第一介电质层之上，该金属层覆盖该钝化层并覆盖该第一复数个导体，其中该金属层不被连接以传导由该复数个半导体装置形成之电信号；一第二介电质层，该第二介电质层覆盖在该金属层之上，以及一第二复数个导体，该第二复数个导体覆盖在该第二
介电质层之上，其中该第二复数个导体之一第一部分与该第一复数个导体之一部分电连接以电传导由该复数个半导体装置之至少一部分形成之电信号。
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