| 发明名称 | 一种ITO靶材的阴极座优化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种ITO靶材的阴极座优化方法，包括以下步骤：（1）将若干套ITO靶材的阴极座装在连续式磁控溅射镀膜线上，每套ITO靶材的阴极座上设置三排磁铁，其中两排磁铁的个数为10片，中间一排磁铁的个数为9片；（2）设置在阴极座两侧的两排磁铁与中间一排磁铁的距离均为75mm～85mm；（3）调节ITO靶材的阴极座上的三排磁铁之间的间距，将阴极座两侧的两排磁铁之间的间距缩小为20mm～60mm。本发明对阴极座的磁铁排列进行优化，缩短三排磁铁间的距离20-60mm，从而缩小磁力线的分布范围，达到缩小ITO靶材的尺寸节省ITO靶材的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN104404460A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410633574.2 | 申请日期 | 2014.11.12 |
| 申请人 | 永州市新辉开科技有限公司 | 发明人 | 陈建湘;陈新文;卢玮杰;薛仁奎 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人 | 吴炳贤 |
| 主权项 | 一种ITO靶材的阴极座优化方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、将若干套ITO靶材的阴极座装在连续式磁控溅射镀膜线上，每套ITO靶材的阴极座上设置三排磁铁，其中两排磁铁的个数为10片，中间一排磁铁的个数为9片；（2）、设置在阴极座两侧的两排磁铁与中间一排磁铁的距离均为75mm～85mm；（3）、调节ITO靶材的阴极座上的三排磁铁之间的间距，将阴极座两侧的两排磁铁之间的间距缩小为20mm～60mm。 | ||
| 地址 | 425000 湖南省永州市冷水滩区凤凰园九嶷大道谷源路交汇处三栋101、201等2套 | ||