一种半导体台面及制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体台面，其中，PN结交界面延伸至该半导体台面的表面，应用于半导体技术领域，该半导体台面包括：由第一钝化膜和覆盖于第一钝化膜上的第二钝化膜形成的钝化层；在钝化层上形成的保护层，本发明同时公开了制作该半导体台面的工艺步骤，包括：在该半导体台面上沉积类金刚石膜以形成第一钝化膜，在第一钝化膜上涂覆有机膜用以形成第二钝化膜，第一钝化膜和第二钝化膜形成钝化层；在钝化层上灌注保护橡胶以形成保护层。本发明采用双层钝化膜形成钝化层，可以实现钝化层与半导体台面的良好接触性能，提升可靠性，还可以屏蔽负电性的保护层对半导体台面的电场影响，改善半导体器件的阻断耐压。

主权项

一种半导体台面，其PN结交界面延伸至所述半导体台面的表面，其特征在于，所述半导体台面包括：由第一钝化膜和覆盖于所述第一钝化膜上的第二钝化膜形成的钝化层；在所述钝化层上形成的保护层。