| 发明名称 | 单晶生长装料用双层坩埚 | ||
| 摘要 | 一种单晶生长装料用双层坩埚，涉及一种装料装置，尤其是一种通过提高坩埚高度，提高生产效率的单晶生长装料用双层坩埚。本实用新型的单晶生长装料用双层坩埚，其特征在于该双层坩埚包括石英管、上层坩埚、下层坩埚、中环以及石英封帽，上层坩埚与下层坩埚放置在石英管内，且上层坩埚设置在下层坩埚上方，中环放置在上层坩埚与下层坩埚之间，石英封帽设置在石英管顶部。本实用新型的单晶生长装料用双层坩埚，设计科学，结构简单，使用方便，将现有工艺中使用的单层坩埚变为双层坩埚，将原有每次7-8Kg的加工量提高到10Kg以上，提高了单位时间内的加工效率，有利于企业提高产能，降低单位成本，提高利润。 | ||
| 申请公布号 | CN204198896U | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201420661302.9 | 申请日期 | 2014.11.07 |
| 申请人 | 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 | 发明人 | 李武芳;董汝昆;包文臻;祝永成;高云浩;金之生;王朝思 |
| 分类号 | C30B11/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人 | 董昆生 |
| 主权项 | 一种单晶生长装料用双层坩埚，其特征在于该双层坩埚包括石英管（1）、上层坩埚（2）、下层坩埚（3）、中环（4）以及石英封帽（5），上层坩埚（2）与下层坩埚（3）放置在石英管（1）内，且上层坩埚（2）设置在下层坩埚（3）上方，中环（4）放置在上层坩埚（2）与下层坩埚（3）之间，石英封帽（5）设置在石英管（1）顶部。 | ||
| 地址 | 650503 云南省昆明市呈贡新城高新技术产业基地B-5-5地块 | ||