一种紧缩场产生装置

摘要

本发明公开了一种紧缩场产生装置，包括馈源以及设置在馈源前上方的超材料面板，所述超材料面板包括核心层及对称分布在核心层两侧表面的阻抗匹配层，所述核心层包括厚度相同且折射率分布相同的多个核心层片层，所述核心层片层包括片状的第一基材以及设置在第一基材上的多个第一人造微结构，设计所述核心层片层的折射率分布满足一定的条件，以使得馈源发出的电磁波经超材料面板后能够以平面波的形式出射。根据本发明的紧缩场产生装置，由片状的超材料面板代替了传统的抛物状反射面，制造加工更加容易，成本更加低廉。

主权项

一种紧缩场产生装置，其特征在于，所述装置包括馈源以及设置在馈源前上方的超材料面板，所述超材料面板包括核心层及设置在核心层两侧表面的阻抗匹配层，所述核心层包括厚度相同且折射率分布相同的多个依次堆叠设置的核心层片层，所述核心层片层包括片状的第一基材以及设置在第一基材上的多个第一人造微结构，所述核心层片层的折射率分布满足如下公式：$n\left(r\right)=n_{\max }-\frac{\sqrt{r^2+s^2}-\mathrm{Vseg}}{D};$Vseg＝s+λ*NUMseg；$\mathrm{NUMseg}=\mathrm{floor}\left\{\frac{\sqrt{r^2+s^2}-s}{\lambda }\right\};$$D=\frac{\lambda }{n_{\max }-n_{\min }};$其中，n(r)表示核心层片层上半径为r处的折射率值；s为馈源到超材料面板的垂直距离；n_max表示核心层片层的折射率的最大值；n_min表示核心层片层的折射率的最小值；λ表示电磁波的波长；floor表示向下取整。