减少光刻胶掩膜倒塌或移位的方法

摘要

本发明提供一种减少光刻胶掩膜倒塌或移位的方法，属于半导体制造的光刻技术领域。该方法中，光刻胶掩膜用于对硅衬底进行构图，其包括形成粘附氧化层的步骤；其中，所述光刻辅助氧化层形成于所述硅衬底表面、并用于增加所述光刻胶掩膜相对于所述硅衬底的粘附力。该方法能大大减少光刻胶掩膜的倒塌、移位等现象，方法简单且成本低，使用该方法的光刻方法成功率高、制备形成的集成电路的良率高。

主权项

一种减少光刻胶掩膜的倒塌或者移位的方法，光刻胶掩膜用于对硅衬底进行构图，其特征在于，该方法包括形成用于增加所述光刻胶掩膜相对于所述硅衬底的粘附力的粘附氧化层的步骤；该步骤包括：提供在所述硅衬底被离子注入掺杂时用作保护层的、形成于所述硅衬底表面的残留氧化层，残留氧化层在离子注入掺杂后形成为无定形的氧化硅层；以及通过减薄所述残留氧化层形成所述粘附氧化层。