METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR STRUCTURES OF-SNTE: BI ON PYROCERAMICS SUBSTRATES

摘要

Спосіб отримання напівпровідникових структур p-SnTe:Bi на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують ситалові підкладки при температурі випарника Ті температурі осадження Т. Температура випаровування є Т=(870±10) К, а температура осадження Т=(470±10) К.