| 摘要 |
<p>L'invention concerne les capteurs d'image électronique fonctionnant à partir de pixels actifs en technologie MOS. Chaque pixel comporte une photodiode (PHD) pour intégrer des charges produites par la lumière, un nœud de stockage de charges (NS) ayant une capacité intrinsèque par rapport à une masse commune, un transistor de transfert de charges (T1) pour transférer les charges de la photodiode vers le nœud de stockage, un transistor (T2) de réinitialisation du potentiel du nœud de stockage, un transistor de lecture (T4) pour lire le potentiel du nœud de stockage. On prévoit une capacité auxiliaire (CA) et un transistor auxiliaire (T6) connecté à la capacité auxiliaire. La capacité auxiliaire est mise en service pendant les phases de réinitialisation pour réduire le bruit kTC mais neutralisée pendant les phases de transfert de charges et de lecture du signal utile pour conserver un bon facteur de conversion charge-tension.</p> |
