| 摘要 |
<p>L'invention concerne une structure semiconductrice, destinée à émettre de la lumière, comportant une première région (10) semiconductrice d'un premier type de conductivité, et une deuxième région (20) semiconductrice présentant, au moins sur une portion (220, 210), un deuxième type de conductivité de manière à former une jonction semiconductrice avec la première région (10). Cette même deuxième région (20) présente au moins une première portion (210) en contact avec la première région (10), cette même première portion (210) comprenant au moins une première et une deuxième zone de confinement (211, 212) de porteurs. La structure (1) comporte au moins un premier moyen de polarisation de la première portion (210) adapté pour soumettre directement la première portion (210) à une polarisation extérieure afin modifier la répartition des porteurs d'au moins un type de conductivité dans la première portion (210) par rapport à la première et à la deuxième zone de confinement (211, 212). L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'une telle structure (1) et un dispositif comportant au moins une telle structure (1).</p> |
