| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de traitement d'un substrat (101) de nitrure de gallium dopé d'un premier type de conductivité, présentant des dislocations (105) débouchant du côté d'au moins une de ses faces, comprenant : a) former des évidements (107) s'étendant dans le substrat (101) depuis ladite au moins une face, en regard des dislocations (105) ; et b) remplir les évidements (107) de nitrure de gallium dopé du second type de conductivité. |
