Ionensensitive Schichtstruktur für einen ionensensitiven Sensor und Verfahren zur Herstellung derselben

摘要

Bei einem Verfahren zur Herstellung einer ionensensitiven Struktur für einen ionensensitiven Sensor wird zunächst ein mit einer Oxid-Schicht versehenes Halbleitersubstrat bereitgestellt, woraufhin eine Metalloxidschicht und eine Metallschicht abgeschieden und getempert wird, um eine Schichtfolge mit einer kristallisierten Metalloxidschicht und einer oxidierten und kristallisierten Metallschicht auf dem mit der Oxidschicht versehenen Halbleitersubstrat zu erhalten. Dabei weisen die Metalloxidschicht und die Metallschicht ein übereinstimmendes Metallelement auf, und die Schichtdicke dMOX der Metalloxidschicht größer ist als die Schichtdicke dMET der Metallschicht.