发明名称 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
摘要 Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst einen leitfähigen Abschnitt mit Halbleiterelementen (3), die auf einem Substrat (2) vorgesehen sind, ein Gehäuse (5), das den leitfähigen Abschnitt aufnimmt, und einen Zuleitungsanschluss (4), der in das Gehäuse (5) integriert ist, so dass er direkt mit den Halbleiterelementen (3) oder einer Verbindung des Substrats (2) verbunden ist. Der Zuleitungsanschluss (4) weist eine Spannungsabbauform zum Abbauen der im Zuleitungsanschluss (4) erzeugten Spannung auf.
申请公布号 DE102014212519(A1) 申请公布日期 2015.03.05
申请号 DE201410212519 申请日期 2014.06.27
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 发明人 IMOTO, YUJI,;YOSHIMATSU, NAOKI,;FUJINO, JUNJI,
分类号 H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60;H01L23/057;H01L25/07 主分类号 H01L23/488
代理机构 代理人
主权项
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