发明名称 PTCデバイス
摘要 本発明は、対向する主表面により規定される層状PTC要素および主表面上で延在する層状電極を有して成るPTC素子、ならびに各層状電極を介して各主表面上に位置する絶縁層を有し、絶縁層、PTC素子および絶縁層がこの順序で積層された積層体を有して成るPTCデバイスであって、積層体は、第1端部および第2端部を有し、また、第1端部および第2端部には第1側方電極および第2側方電極がそれぞれ配置され、PTC素子の一方の層状電極は、第1側方電極および第2側方電極から離隔された状態で延在し、PTC素子の他方の層状電極は、第1端部から離隔され、第2端部まで延在して第2側方電極に電気的に接続され、少なくとも第1側方電極は、第1端部にて積層体の厚さ方向全体に沿って、更に一方の絶縁層の第1端部分上で延在し、第1端部分は、該一方の層状電極に達する貫通孔を有し、貫通孔は、該一方の層状電極と第1側方電極とを電気的に接続する導電性要素を有するPTCデバイスを提供する。
申请公布号 JPWO2013018719(A1) 申请公布日期 2015.03.05
申请号 JP20130526894 申请日期 2012.07.27
申请人 タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 发明人 薄井 久
分类号 H01C7/02;H01C1/148 主分类号 H01C7/02
代理机构 代理人
主权项
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