| 摘要 |
<p>本発明は、導電領域（Ａ）と非導電領域（Ｂ）からなるパターンの非視認性が高いパターン化導電積層体を提供せんとするものである。基材の少なくとも片側に、マトリックス中にネットワーク構造を有する金属系線状構造体を含む導電領域（Ａ）と、マトリックス中に孤立分散した金属系分散体を含む非導電領域（Ｂ）とを面内に有するパターン化導電層を有し、下記（Ｉ）および（ＩＩ）を満たすパターン化導電積層体。（Ｉ）前記マトリックスは、重合反応に寄与する炭素−炭素二重結合基を２個以上有する化合物が重合反応した構造を含む高分子で構成され、かつ、前記マトリックスの全質量に対する炭素−炭素二重結合基由来の構造の炭素−炭素二重結合基の単位構造（＞Ｃ＝Ｃ＜：式量２４）部分の質量含有率が９〜２６質量％であり、ＦＴ−ＩＲ−ＡＴＲ法にて求めた炭素−炭素二重結合の伸縮振動のピーク強度ν１と炭素−水素単結合（Ｃ−Ｈ）の伸縮振動のピーク強度ν２の関係が、ν１／ν２≧０．２である。（ＩＩ）前記非導電領域（Ｂ）において蛍光Ｘ線により定量される金属成分の量が、前記導電領域（Ａ）において蛍光Ｘ線により定量される金属成分の量の０．５〜０．９倍である。【選択図】なし</p> |
