| 摘要 |
Ein erster Isolationsgraben isoliert und trennt einen Bereich (4) mit niedriger Spannung, einen Bereich (5) mit hoher Spannung und einen Verbindungsbereich (6) der Halbleiterschicht voneinander. Eine Signalverarbeitungsschaltung (8) mit niedrigem Potential befindet sich im Bereich mit niedriger Spannung und arbeitet mit einem niedrigeren Potential. Eine Signalverarbeitungsschaltung (9) mit hohem Potential befindet sich im Bereich mit hoher Spannung und arbeitet mit einem höheren Potential. Ein Kondensator befindet sich im Verbindungsbereich und überträgt das zweite Wechselstromsignal von der Signalverarbeitungsschaltung mit niedrigem Potential zur Signalverarbeitungsschaltung mit hohem Potential. Der Kondensator umfasst eine Elektrode (15a, 17a) mit niedrigem Potential, die mit der Signalverarbeitungsschaltung mit niedrigem Potential verbunden ist, und eine Elektrode (15b, 17b) mit hohem Potential, die mit der Signalverarbeitungsschaltung mit hohem Potential verbunden ist. Erste Verdrahtungsschichten der Elektrode mit niedrigem Potential und zweite Verdrahtungsschichten der Elektrode mit hohem Potential sind kapazitiv gekoppelt. Seitenwandoberflächen der ersten Verdrahtungsschichten und jene der zweiten Verdrahtungsschichten liegen einander gegenüber. |
