| 发明名称 |
無電解銅蒸着 |
| 摘要 |
【解決手段】無電解めっきを提供するための方法が提供される。炭化水素、Ｈ2、及び無酸素希釈剤を含む蒸着ガス流を提供すること、蒸着ガスからプラズマを発生させること、及び蒸着ガス流を停止させることによって、ｌｏｗ−ｋ誘電体層の上に、アモルファス炭素障壁層が形成される。アモルファス炭素障壁層は、Ｈ2及び希釈剤を含む修正ガス流を提供すること、アモルファス炭素障壁層の上面を修正するプラズマを修正ガスから発生させること、及び修正ガス流を停止させることによって修正される。アモルファス炭素障壁層は、ＮＨ3、又はＨ2とＮ2とを含む官能基化ガス流を提供すること、官能基化ガスからプラズマを発生させること、及び官能基化ガス流を停止させることによって官能基化される。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2015507352(A) |
申请公布日期 |
2015.03.05 |
| 申请号 |
JP20140547292 |
申请日期 |
2012.12.05 |
| 申请人 |
ラム リサーチ コーポレーションＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ |
发明人 |
ドルディ・イエッディ・エヌ．;ジャネク・リチャード・ピー．;ディクタス・ドリーズ |
| 分类号 |
H01L21/768;C23C16/26;C23C16/50;C23C16/56;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/288;H01L21/3205;H01L23/522 |
主分类号 |
H01L21/768 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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