Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung
摘要
<p>Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement basierend auf Elementen der Gruppe-III-Nitride auf einem Hetero- oder Homosubstrat oder einer Gruppe-III-Nitrid-Pufferschicht, gekennzeichnet durch eine mindestens einmal wechselnde Polarität der Gruppe-III-Nitrid-Schicht im Bauelement oder von benachbarten Bauelementen durch eine lokale Beschichtung des Substrats oder der Gruppe-III-Nitrid-Pufferschicht mit einem bei Herstellungstemperatur nicht schmelzenden Metall.</p>
