| 摘要 |
エピ層（２）と、複数の画素電極（１１）と、複数の画素電極（１１）の上に形成され、入射した光を電気信号に変換する光電変換膜（１２）と、光電変換膜（１２）の上に形成された透明電極（１３）と、複数の画素電極（１１）のそれぞれに対応してエピ層（２）内に形成され、対応する画素電極（１１）と電気的に接続され、光電変換により光電変換膜（１２）で生成された信号電荷を蓄積するｎ型の電荷蓄積領域（１４）と、電荷蓄積領域（１４）のそれぞれの底部に接するようにエピ層（２）内に形成されたｐ型の電荷障壁領域（２１）と、電荷障壁領域（２１）のそれぞれの底部に接するようにエピ層（２）内に形成されたｎ型の電荷排出領域（２２）とを備える。 |
