リソグラフィ用途のための近赤外線吸収フィルム組成物およびこの組成物を用いたパターン形成方法

摘要

【課題】 本発明は、集積半導体ウェハのパターニングにおいて垂直方向のアラインメントおよび補正で用いるための近赤外線（ＮＩＲ）フィルム組成物、および、この組成物を用いたパターン形成方法に関する。【解決手段】 ＮＩＲ吸収フィルム組成物は、ポチメチン・カチオンおよび架橋性アニオンを有するＮＩＲ吸収色素と、架橋性ポリマーと、架橋剤とを含む。パターニング形成方法は、フォトレジスト層およびこのフォトレジスト層の下のＮＩＲ吸収フィルム組成物から形成したＮＩＲ吸収層を含む基板から反射した近赤外線放出を検知することによって、フォトレジスト層の焦点面位置のアラインメントを行い合焦することを含む。ＮＩＲ吸収フィルム組成物およびパターン形成方法は、複雑な埋め込みトポグラフィを有する半導体基板上に材料パターンを形成する際に特に有用である。