发明名称 リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法
摘要 炭素濃度が高く、酸素濃度が低く、耐熱性が比較的に高く、溶媒溶解性も比較的に高く、湿式プロセスが適用可能な、新規なリソグラフィー用下層膜形成材料等を提供する。本発明のリソグラフィー用下層膜形成材料は、下記一般式(1)で示される化合物を含有することを特徴とする。【化1】(式(1)中、Xは、各々独立して、酸素原子又は硫黄原子であり、R1は、各々独立して、単結合又は炭素数1〜30の2n価の炭化水素基であり、該炭化水素基は、環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数6〜30の芳香族基を有していてもよく、R2は、各々独立して、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数2〜10のアルケニル基又は水酸基であり、但し、R2の少なくとも1つは水酸基であり、mは、各々独立して、1〜6の整数であり、nは、1〜4の整数である。)
申请公布号 JPWO2013024779(A1) 申请公布日期 2015.03.05
申请号 JP20130528990 申请日期 2012.08.09
申请人 三菱瓦斯化学株式会社 发明人 越後 雅敏;東原 豪;内山 直哉
分类号 G03F7/11;C07D311/78;C07D311/96;G03F7/26;H01L21/027 主分类号 G03F7/11
代理机构 代理人
主权项
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