半導体発光素子およびこれを含む積層体

摘要

半導体発光素子は、種結晶基板上にフラックス法によってフラックスおよび１３族元素を含む融液から窒素含有雰囲気下に育成された１３族元素窒化物膜３、１３族元素窒化物膜３上に設けられたｎ型半導体層２１、ｎ型半導体層２１上に設けられた発光領域２３および発光領域上に設けられたｐ型半導体層２５を備える。１３族元素窒化物膜３の種結晶基板側の界面１１ａから５０μｍ以下の領域に設けられる、融液の成分に由来するインクルージョンが分布するインクルージョン分布層３ａと、インクルージョン分布層上に設けられた、インクルージョンに乏しいインクルージョン欠乏層２ｂとを含む。