| 摘要 |
<p>高周波モジュール（１０）は、外部回路基板（３００）上にワイヤボンディングによって実装した半導体チップ素子（２０）を備える。半導体チップ素子（２０）には、能動素子であるＦＥＴ群によって実現されるスイッチ形成部（１０１）、パワーアンプ形成部（１０２）、ローノイズアンプ形成部（１０３）が形成されている。さらに、半導体チップ素子（２０）には、キャパシタ（１２１，１２２，１２３）を形成する平板電極が形成されている。外部回路基板（３００）と半導体チップ素子２０とを接続する導電性ワイヤ（２１１，２１２，２１３）は、インダクタとしても機能する。これにより、インダクタとキャパシタとを備える受動素子群が形成される。その結果、必要な伝送特性を得ながら小型化が可能な高周波モジュールを提供することができる。</p> |
