Verfahren und Vorrichtungen zur Abscheidung einer Metallschicht auf einem Halbleiterbauelement

摘要

Es wird ein Verfahren und zugehörige Vorrichtungen zur galvanischen Abscheidung einer Kontaktmetallschicht auf Kontaktflächen einer Mehrzahl von im Waferverbund vorliegenden Halbleiterbauelementen mit den folgenden Schritten vorgestellt: a) Bereitstellen eines Wafers mit Halbleiterbauelementen mit mindestens einen pn-Übergang; b) Anordnen einer elektrisch nicht leitfähigen Homogenisierungseinrichtung zu einer ersten Oberfläche des Wafers und damit zu den ersten Oberflächen der Halbleiterbauelemente, sowie einer elektrischen Kontakteinrichtung an einer zweiten Oberfläche des Wafers; c) Einbringen des Wafers mit angeordneter Kontakteinrichtung in ein Galvanikbad mit einer Elektrode, wobei deren Oberfläche zumindest teilweise aus einem ersten Kontaktmetall besteht und wobei die erste Oberfläche der Halbleiterbauelemente mit dem Galvanikbad in Kontakt steht; d) Anlegen einer Spannung an die Elektrode und an die Kontakteinrichtung, wodurch Strom zwischen der Elektrode durch das Galvanikbad und das Halbleiterbauelement und die Kontakteinrichtung fließt und somit Kontaktmetall an den ersten Kontaktflächen der Halbleiterbauelemente abgeschieden wird.