| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制作方法，薄膜晶体管组件、阵列基板及显示装置 | ||
| 摘要 | 薄膜晶体管及其制作方法，薄膜晶体管组件、阵列基板及显示装置，一种薄膜晶体管，包括：基板；设置在基板上的栅极、栅极绝缘部、半导体部、源极和漏极，半导体部与栅极之间利用栅极绝缘部隔开，源极和漏极与半导体部连接，其中：栅极和半导体部在基板上的投影彼此不重叠。栅极、栅极绝缘部、半导体部、源极和漏极可同层布置。或者，栅极绝缘部的一部分设置在半导体部和源、漏极所在层与基板之间；且栅极直接设置在基板上。或者，半导体部和源、漏极同层直接布置在基板上；且栅极绝缘部的一部分设置在栅极所在层与基板之间。 | ||
| 申请公布号 | CN104393053A | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201410796010.0 | 申请日期 | 2014.12.19 |
| 申请人 | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 周庆高;李鹏;冯忠;孟盼盼;刘祖宏;吴代吾;侯智 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤雄军 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：基板；设置在基板上的栅极、栅极绝缘部、半导体部、源极和漏极，半导体部与栅极之间利用栅极绝缘部隔开，源极和漏极与半导体部连接，其中：栅极和半导体部在基板上的投影彼此不重叠。 | ||
| 地址 | 230012 安徽省合肥市新站区铜陵北路2177号 | ||