| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种包含氧化物半导体的电特性变化得到抑制或者可靠性得到提高的半导体装置。在包括形成沟道形成区的氧化物半导体膜的半导体装置中，在上述氧化物半导体膜上设置有抑制水渗入且至少含有氮的绝缘膜以及抑制从该绝缘膜释放出的氮渗入的绝缘膜。作为渗入氧化物半导体膜的水，可以举出包含在空气中的水、设置在抑制水渗入的绝缘膜上的膜中的水等。另外，作为抑制水渗入的绝缘膜，可以使用氮化物绝缘膜，并且通过加热从该氮化物绝缘膜释放出的氢分子的量低于5.0×10<sup>21</sup>分子/cm<sup>3</sup>。 | ||
| 申请公布号 | CN104395991A | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201380034241.1 | 申请日期 | 2013.06.20 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;佐佐木俊成;羽持贵士;宫本敏行;野村昌史;肥塚纯一;冈崎健一 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括:栅电极；覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜；与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜，所述栅极绝缘膜位于所述氧化物半导体膜和所述栅电极之间；与所述氧化物半导体膜接触的一对电极；在所述氧化物半导体膜上的第一绝缘膜；以及在所述第一绝缘膜上并与所述第一绝缘膜接触且至少含有氮的第二绝缘膜，其中，所述第一绝缘膜配置为保护所述氧化物半导体膜以防止从所述第二绝缘膜释放出的氮渗入所述氧化物半导体膜，并且，通过加热从所述第二绝缘膜释放的氢分子的量低于5.0×10<sup>21</sup>分子/cm<sup>3</sup>。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||