| 发明名称 |
INDIRECT PHOTOLYTIC ETCHING OF SILICON DIOXIDE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3520686(A) |
申请公布日期 |
1970.07.14 |
| 申请号 |
USD3520686 |
申请日期 |
1967.05.29 |
| 申请人 |
GENERAL ELECTRIC CO. |
发明人 |
ROBERT F. KOPCZEWSKI;DONALD L. SCHAEFER |
| 分类号 |
C04B41/53;(IPC1-7):G03C5/00 |
主分类号 |
C04B41/53 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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