| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法与操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法与操作方法。半导体结构包括第一阱区、第二阱区、第一掺杂区、第二掺杂区、阳极与阴极。第二阱区邻近第一阱区。第一掺杂区位于第二阱区上。第二掺杂区位于第一阱区上。阳极耦接至第一掺杂区与第二阱区。阴极耦接至第一阱区与第二掺杂区。第一阱区与第一掺杂区具有第一导电型。第二阱区与第二掺杂区具有第二导电型。第二导电型相反于第一导电型。 | ||
| 申请公布号 | CN102738141B | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201110081711.2 | 申请日期 | 2011.03.29 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈信良;陈永初;吴锡垣 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/74(2006.01)I;H01L21/8228(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：一第一阱区；一第二阱区，邻近该第一阱区；一第一掺杂区，位于该第二阱区上；一第二掺杂区，位于该第一阱区；一阳极，耦接至该第一掺杂区与该第二阱区；及一阴极，耦接至该第一阱区与该第二掺杂区；其中，该第一阱区与该第一掺杂区具有一第一导电型，该第二阱区及该第二掺杂区具有一第二导电型，该第二导电型相反于该第一导电型；该第二阱区、该第一阱区与该第二掺杂区形成一第一双极结晶体管，该第一双极结晶体管具有一第一元件类型；该第一掺杂区、该第二阱区与该第一阱区形成一第二双极结晶体管，该第二双极结晶体管具有一第二元件类型，该第二元件类型相反于该第一元件类型。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||