发明名称 |
一种Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>半导体薄膜的制备方法及其应用 |
摘要 |
本发明公开了一种Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>半导体薄膜的制备方法及其应用,该方法以无水乙醇为溶剂,十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂,草酸为还原剂,氯化铜水合物为铜源,氯化锌为锌源,氯化亚锡水合物为锡源,硫脲为硫源,配置反应前驱液;将清洗干净的FTO导电玻璃放入高压反应釜内衬中,与器壁成30°角且导电面朝下放置,然后将所配置的反应前驱液倒入反应釜内衬中,密封后将反应釜放入鼓风干燥箱中,恒温反应;反应完成后,FTO导电玻璃衬底上生长了Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>薄膜;通过调节十六烷基三甲基溴化铵和硫脲的浓度,合成具有不同纳米结构的Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>薄膜;直接制备在FTO导电玻璃上的Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>薄膜可以直接用作染料敏化太阳能电池的对电极,也可以用作铜基薄膜太阳能电池的吸收层。 |
申请公布号 |
CN104393103A |
申请公布日期 |
2015.03.04 |
申请号 |
CN201410552981.0 |
申请日期 |
2014.10.17 |
申请人 |
广东工业大学 |
发明人 |
魏爱香;颜志强;招瑜;刘俊;陶万库 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人 |
林丽明 |
主权项 |
一种Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>半导体薄膜的制备方法,其特征在于:采用溶剂热合成技术,直接在掺F的SnO<sub>2</sub>透明导电玻璃FTO上制备Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>半导体薄膜;该方法以无水乙醇为溶剂,十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂,草酸为还原剂, 氯化铜水合物为铜源,氯化锌为锌源,氯化亚锡水合物为锡源,硫脲为硫源,配置反应前驱液,将清洗干净的FTO玻璃导电面朝下与高压反应釜内衬的内壁形成适当角度放入内衬中,然后将所配置的反应前驱液倒入高压反应釜内衬中,密封后将高压反应釜放入鼓风干燥箱中,恒温反应,在FTO导电玻璃衬底上制备得到Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>半导体薄膜。 |
地址 |
510006 广东省广州市番禺区广州大学城外环西路100号 |