| 发明名称 | 偏振分束器 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种偏振分束器，所述偏振分束器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅上的波导，所述波导至少包括第一级Y分支波导、第二级Y分支波导、第三级Y分支波导，以及模式转化器；所述第二级Y分支波导包括第三分支波导和第四分支波导；其中，所述模式转化器连接第一级Y分支波导的根波导和第二级Y分支波导的根波导；所述第四分支波导连接所述第三级Y分支波导的根波导；所述第一级Y分支波导的根波导的宽度S1的取值范围为S1>1μm。本实用新型提供的偏振分束器具有几百纳米的工作带宽和较为简单的加工工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN204188832U | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201420683913.3 | 申请日期 | 2014.11.14 |
| 申请人 | 江苏尚飞光电科技有限公司;中科院南通光电工程中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 汪敬;甘甫烷;盛振;武爱民;仇超;王曦;邹世昌 |
| 分类号 | G02B6/125(2006.01)I;G02B27/28(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/125(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种偏振分束器，其特征在于，所述偏振分束器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅上的波导，所述波导至少包括第一级Y分支波导、第二级Y分支波导、第三级Y分支波导，以及模式转化器；所述第二级Y分支波导包括第三分支波导和第四分支波导；其中，所述模式转化器连接第一级Y分支波导的根波导和第二级Y分支波导的根波导；所述第四分支波导连接所述第三级Y分支波导的根波导；所述第一级Y分支波导的根波导的宽度S1的取值范围为S1>1μm。 | ||
| 地址 | 226009 江苏省南通市苏通科技产业园纬14路30号 | ||