SiC外延晶片及其制造方法

摘要

本发明提供一种降低三角缺陷和层积缺陷、载流子浓度和膜厚的均一性高、无台阶束的SiC外延晶片及其制造方法。本发明的SiC外延晶片，是在以0.4°～5°的偏离角倾斜的4H-SiC单晶基板上形成了SiC外延层的SiC外延晶片，其特征在于，所述SiC外延层的表面的三角形的缺陷密度为1个/cm²以下。

主权项

一种SiC外延晶片的制造方法，是在以0.4°～5°的偏离角倾斜的4H‑SiC单晶基板上形成了SiC外延层的SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：在通过气体蚀刻将表面清洁化了的所述基板上，以碳化硅的外延生长所需要的量的碳和硅的原子数比C/Si成为0.7～1.2的方式供给含硅气体和含碳气体，在高于1600℃且为1800℃以下的温度下外延生长碳化硅膜，所述碳化硅膜的外延生长，(1)在使用偏离角为0.4°～2°的4H‑SiC单晶基板的情况下，在将外延生长碳化硅膜的生长温度设为1600～1640℃时，将生长速度设为1～3μm/小时进行，在将生长温度设为1640～1700℃时，将生长速度设为3～4μm/小时进行，在将生长温度设为1700～1800℃时，将生长速度设为4～10μm/小时进行，(2)在使用偏离角为2°～5°的4H‑SiC单晶基板的情况下，在将外延生长碳化硅膜的生长温度设为1600～1640℃时，将生长速度设为2～4μm/小时进行，在将生长温度设为1640～1700℃时，将生长速度设为4～10μm/小时进行，在将生长温度设为1700～1800℃时，将生长速度设为10～20μm/小时进行。