发明名称 |
一种半导体器件的制备方法 |
摘要 |
本申请公开了一种半导体器件的制造方法,包括:在半导体衬底上形成局部埋层隔离介质层;在所述局部埋层隔离介质层上方的硅衬底上形成鳍片;在所述鳍片顶部和侧面形成栅堆叠结构;在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构;金属化。本发明采用传统的基于准平面的自顶向下工艺实现了与CMOS平面工艺的良好兼容,并且易于集成,有利于抑制短沟道效应,推动MOSFETs尺寸往小尺寸方向发展。 |
申请公布号 |
CN102651321B |
申请公布日期 |
2015.03.04 |
申请号 |
CN201110046790.3 |
申请日期 |
2011.02.25 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
周华杰;徐秋霞 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王波波 |
主权项 |
一种半导体器件的制备方法,包括:在半导体衬底上形成局部埋层隔离介质层;在所述局部埋层隔离介质层上方的硅衬底上形成鳍片;在所述鳍片顶部和侧面形成栅堆叠结构;在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构;金属化。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |