| 发明名称 | 制备碳薄膜的方法、包含碳薄膜的电子器件和电化学器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制备碳薄膜的方法，和包含该碳薄膜的电子器件和电化学器件。 | ||
| 申请公布号 | CN102515135B | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201110309227.0 | 申请日期 | 2011.07.22 |
| 申请人 | 浦项工科大学校产学协力团 | 发明人 | 李泰雨;崔喜哲;卞善祯 |
| 分类号 | C01B31/02(2006.01)I;B05D1/28(2006.01)I;B05D3/02(2006.01)I;B05D5/12(2006.01)I;B05D7/24(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 宋莉 |
| 主权项 | 制备碳薄膜的方法，该方法包括：通过使用涂覆工艺在基底上形成聚合物层；在所述聚合物层上形成金属层保护层；和对所述基底进行热处理以在所述基底上形成碳薄膜，其中所述保护层具有10nm‑300nm的厚度，其中所述热处理在600℃‑1500℃进行30秒‑15分钟，和其中所述碳薄膜为具有0.34nm厚度的石墨烯单层、或具有2‑10个石墨烯单层的几层石墨烯。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||