用于电镀的CIGS光伏器件的后电极结构及制备其的方法

摘要

本发明提供一种用于CIGS型光伏器件的后接触结构。所述后接触结构包括界面种子层，由一个或多个层/子层构成，配置在基于钼的后接触/电极和含有CIGS的半导体吸收层之间。所述界面种子层可包括多个元素，来用于制备或帮助制备含有CIGS的半导体吸收层。在此公开的多种方法和界面种子层的组成，包括：含有金属和/或基本金属的Cu-In-Ga的种子层、CIGS、和/或含有Cu、In、Ga的交替层的堆栈。此外还提供一种用于制备含有界面种子层的后接触结构的方法。

主权项

一种制备光伏器件的方法，所述方法包括：将含有钼的导电后接触层形成在后基片上；在所述后基片和所述导电后接触层上溅射沉积界面种子层，所述界面种子层包含铜、铟、和镓；在所述后基片上形成半导体吸收薄膜，位于所述界面种子层上，其中，所述形成半导体吸收薄膜的步骤包括：溅射含有或主要由铜构成的层，并随后在所述含有或主要由铜构成的层上电镀含有铟和镓的薄膜，所述含有铟和镓的薄膜包括一个或多个层。