| 发明名称 | 一种MOS静电保护结构及保护方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种MOS静电保护结构及保护方法，所述MOS静电保护结构至少包括在漏极区中制作的重掺杂反型区，所述重掺杂反型区与所述漏极区的掺杂类型相反。本发明通过在所述漏极区中制作重掺杂反型区，漏极区的电阻绕过重掺杂反型区，使漏极区电阻长度增加，从而增大漏极区电阻值，减小电流，改善静电冲击电流部分的均匀性，提高静电保护能力。本发明与正常的MOS注入工艺兼容，可以满足更高的器件使用场合要求，而且结构简单，适用于各种集成电路的静电保护应用领域。 | ||
| 申请公布号 | CN104392982A | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201410520810.X | 申请日期 | 2014.09.30 |
| 申请人 | 中航（重庆）微电子有限公司 | 发明人 | 马先东;何明江;刘中旺 |
| 分类号 | H01L23/60(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种MOS静电保护结构，其特征在于，所述MOS静电保护结构至少包括在漏极区中制作的重掺杂反型区，所述重掺杂反型区与所述漏极区的掺杂类型相反。 | ||
| 地址 | 401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号 | ||