用于在具有多个存储状态的非易失性存储单元中执行操作的设备和方法

摘要

公开了用于在具有多个存储状态的非易失性存储单元中执行操作的设备和方法。一种方法是用于在配置为存储多达N+1个位的非易失性存储单元中对N个位进行编程的方法，其中N是大于零的整数。用于编程的方法包括将N位数据编程到所述非易失性存储单元中。用于编程的方法还包括将作为所述N位数据的逻辑函数的额外数据位编程到所述非易失性存储单元中。所述非易失性存储单元被配置为提供用于位存储的2N+1个阈值电压范围，且根据所述逻辑函数：i)所述2N+1个阈值电压范围中的第一组2N个阈值电压范围用于存储所述N位数据；以及ii)与所述第一组交替的剩余的第二组2N个阈值电压范围未被使用。

主权项

一种用于在配置为存储多达N+1个位的非易失性存储单元中对N个位进行编程的方法，其中N是大于零的整数，所述方法包括：a)将N位数据编程到所述非易失性存储单元中；以及b)将作为所述N位数据的逻辑函数的额外数据位编程到所述非易失性存储单元中，以及所述非易失性存储单元被配置为提供用于位存储的2^N+1个阈值电压范围，且根据所述逻辑函数：i)所述2^N+1个阈值电压范围中的第一组2^N个阈值电压范围用于存储所述N位数据；以及ii)与所述第一组交替的剩余的第二组2^N个阈值电压范围未被使用。