| 发明名称 | 一种半导体场效应晶体管的制备方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体场效应晶体管的制造方法，包括：形成具有局部埋层隔离介质层的局部绝缘体上硅(SOI)结构的半导体衬底；在所述局部埋层隔离介质层上方的硅衬底上形成鳍片；在所述鳍片顶部和侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构；金属化。本发明采用传统的基于准平面的自顶向下工艺实现了与CMOS平面工艺的良好兼容，并且易于集成，有利于抑制短沟道效应，推动MOSFETs尺寸往小尺寸方向发展。 | ||
| 申请公布号 | CN102842508B | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201110174333.2 | 申请日期 | 2011.06.24 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 周华杰;徐秋霞 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种半导体场效应晶体管的制备方法，包括： 形成具有局部埋层隔离介质层的局部绝缘体上硅(SOI)结构的半导体衬底； 在所述局部埋层隔离介质层上方的硅衬底上形成鳍片，所述鳍片在所述局部埋层隔离介质层上延伸，且在两端与半导体衬底相接； 在所述鳍片顶部和侧面形成栅堆叠结构，栅堆叠结构与所述鳍片相交于所述局部埋层隔离介质层上方； 在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构； 金属化。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||