| 发明名称 | 一种红色LED芯片制程工艺中的P面蒸镀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种红色LED芯片制程工艺中的P面蒸镀方法，依次在CaAs衬底的任意一面上设置N-GaP-Si层、发光层、P-GaP-Mg层、第一Au层、AuBe层、第二Au层；其中，AuBe层的蒸镀温度为540℃～560℃，经过该温度所做的热处理，使得处理后的表面均匀、平整，其伏-安特性斜率大，接触电阻小。 | ||
| 申请公布号 | CN104393123A | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201410647153.5 | 申请日期 | 2014.11.14 |
| 申请人 | 无锡科思电子科技有限公司 | 发明人 | 沈智广 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;C23C14/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 许方 |
| 主权项 | 一种红色LED芯片制程工艺中的P面蒸镀方法，包括如下步骤：步骤1、在CaAs衬底的任意一面上设置N‑GaP‑Si层；步骤2、在N‑GaP‑Si层上设置发光层；步骤3、在发光层上设置P‑GaP‑Mg层；步骤4、在P‑GaP‑Mg层上设置第一Au层；步骤5、在第一Au层上设置AuBe层；步骤6、在AuBe层上设置第二Au层；其特征在于：所述步骤4至步骤6采用蒸镀的方法设置，其中步骤5的蒸镀温度为540℃～560℃。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新区长江路7号科技园二区501号 | ||