| 发明名称 | LED芯片的外延结构及其生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种LED芯片的外延结构及其生长方法，其中，所述外延结构依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、接触层，其特征在于，所述量子阱层包括势阱层和GaN势垒层，所述势阱层包括In<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>N层、以及形成于所述In<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>N层中的Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>N层。本发明在通过在In<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>N层中插入Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>N层，便于量子阱结构在生长的过程中，应力的互补和释放，从而提高晶体的质量和发光效率，提高LED芯片的亮度。 | ||
| 申请公布号 | CN104393129A | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201410620659.7 | 申请日期 | 2014.11.06 |
| 申请人 | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 | 发明人 | 陈伟;陈立人 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮 |
| 主权项 | 一种LED芯片的外延结构，所述外延结构依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、接触层，其特征在于，所述量子阱层包括势阱层和GaN势垒层，所述势阱层包括In<sub>x</sub>Ga<sub>(1‑x)</sub>N层、以及形成于所述In<sub>x</sub>Ga<sub>(1‑x)</sub>N层中的Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1‑x)</sub>N层。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号 | ||