| 发明名称 | 高电子密度的导电性钙铝石化合物的制造方法和靶材 | ||
| 摘要 | 一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，其为电子密度为5×10<sup>20</sup>cm<sup>-3</sup>以上的导电性钙铝石化合物的制造方法，该方法包括以下工序：工序(1)，制备包含钙铝石化合物或钙铝石化合物的前体的被处理体；和工序(2)，在前述被处理体的表面的至少一部分配置铝箔，在低氧分压的气氛下、1080℃～1450℃的范围的温度下保持前述被处理体。 | ||
| 申请公布号 | CN104395239A | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201380032752.X | 申请日期 | 2013.06.19 |
| 申请人 | 旭硝子株式会社 | 发明人 | 伊藤和弘;渡边晓;渡边俊成;宫川直通 |
| 分类号 | C01F7/16(2006.01)I;C01F7/54(2006.01)I;C01F7/56(2006.01)I;C04B35/44(2006.01)I;C04B41/87(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01B1/08(2006.01)I | 主分类号 | C01F7/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，其为电子密度为5×10<sup>20</sup>cm<sup>‑3</sup>以上的导电性钙铝石化合物的制造方法，该方法包括以下工序：工序(1)，制备包含钙铝石化合物或钙铝石化合物的前体的被处理体；和工序(2)，在所述被处理体的表面的至少一部分配置铝箔，在低氧分压的气氛下、在1080℃～1450℃的范围的温度下保持所述被处理体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||