发明名称 |
扫描式光刻方法 |
摘要 |
本发明公开了一种扫描式光刻方法,包括步骤:放置步骤:将光刻版和晶圆分别安装在P-E扫描式光刻机的扫描架两侧的光刻版架和晶圆台上;调整步骤:调整扫描架与P-E扫描式光刻机的光学系统的相对位置,使得光学系统的曝光区域位于待扫描区域的居中位置附近;搜寻步骤:在由P-E扫描式光刻机的上对准镜头和下对准镜头确定的晶圆虚线区域内搜寻光刻版上的第一对准标记和晶圆上的第二对准标记;对准步骤:分别驱动光刻版架和晶圆台,使第一对准标记和第二对准标记对准。本发明所提供的光刻方法可以降低人为误差、提高对准精度、进而提高产品成品率,还可以提升整批次晶圆的对准速度、提高产品生产率、延长设备使用寿命。 |
申请公布号 |
CN104391432A |
申请公布日期 |
2015.03.04 |
申请号 |
CN201410799776.4 |
申请日期 |
2014.12.18 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
发明人 |
王增智;杨大为 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 |
代理人 |
方挺;葛强 |
主权项 |
一种扫描式光刻方法,其特征在于,包括以下步骤:放置步骤:将光刻版和晶圆分别安装在P‑E扫描式光刻机的扫描架两侧的光刻版架和晶圆台上;调整步骤:调整所述扫描架与所述P‑E扫描式光刻机的光学系统的相对位置,使得所述光学系统的曝光区域位于待扫描区域的居中位置附近;搜寻步骤:在由所述P‑E扫描式光刻机的上对准镜头和下对准镜头确定的晶圆虚线区域内搜寻所述光刻版上的第一对准标记和所述晶圆上的第二对准标记;以及对准步骤:分别驱动所述光刻版架和所述晶圆台,使所述第一对准标记和所述第二对准标记对准。 |
地址 |
110032 辽宁省沈阳市皇姑区陵园街20号 |