一种基于N型掺杂的飞秒激光加工半导体的方法

摘要

本发明涉及一种基于N型掺杂的飞秒激光加工半导体的方法，属于激光应用领域。所述方法包括：1)确定待加工半导体材料的加工区域，使用掩模覆盖住待加工区域的剩余部分；2)对待加工区域进行N型掺杂；N型掺杂的杂质为五价元素，N型掺杂的浓度要大于10¹⁸cm^-3；3)去除掩模，采用飞秒激光加工方法于待加工半导体材料的掺杂区域进行加工。本发明通过在半导体中选择性N型掺杂五价元素，局部提升了材料的自由电子密度，与传统的激光加工方法相比，能够实现对材料的高效率及选择性加工。

主权项

一种基于N型掺杂的飞秒激光加工半导体的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：1)确定待加工半导体材料的加工区域，使用掩模覆盖住待加工区域的剩余部分；2)对待加工区域进行N型掺杂；N型掺杂的杂质为五价元素，N型掺杂的浓度要大于10¹⁸cm^‑3；3)去除掩模，采用飞秒激光加工方法于待加工半导体材料的掺杂区域进行加工。