| 发明名称 | IIIA族氮化物半导体衬底 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种IIIA族氮化物半导体衬底及其制造方法，其直径为25mm以上且厚度为250μm以上，其中，在从所述的IIIA族氮化物半导体衬底的外缘开始5mm以内的外缘部的至少一个外缘侧部分中，所述的IIIA族氮化物半导体衬底的主面内的应力为拉伸应力，而且与相对于所述的IIIA族氮化物半导体衬底外缘侧部分的中心侧部分的应力相比，所述的拉伸应力相对变大。 | ||
| 申请公布号 | CN102102223B | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201010295710.3 | 申请日期 | 2010.09.27 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | 发明人 | 大岛佑一 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B25/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 一种IIIA族氮化物半导体衬底，其直径为25mm以上且厚度为250<sub>μ</sub>m以上，其中，在从所述的IIIA族氮化物半导体衬底的外缘开始5mm以内的外缘部的至少一个外缘侧部分中，所述的IIIA族氮化物半导体衬底的主面内的应力为拉伸应力，而且与相对于所述的IIIA族氮化物半导体衬底外缘侧部分的中心侧部分的应力相比，所述的拉伸应力相对变大，所述外缘侧部分的拉伸应力的大小为30MPa以上且150MPa以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||