发明名称 铝栅CMP化学反应动力学仿真及版图设计优化方法
摘要 本发明提供了一种铝栅CMP化学反应动力学仿真方法及版图设计优化方法。所述铝栅CMP化学反应动力学仿真方法,包括:基于铝栅CMP化学反应动力学模型,优化铝栅CMP的研磨液中各组分浓度;基于所述铝栅CMP化学反应动力学模型和优化后的所述铝栅CMP的研磨液中各组分浓度,对铝栅进行预定时间段的仿真,预测铝栅表面高度的变化量;基于预测得到的所述铝栅表面高度的变化量,获取铝栅表面的仿真金属碟形值和仿真介质侵蚀值。该仿真方法的基础模型从化学反应机理上对HKMG工艺中的铝栅CMP进行了合理解释和表面高度实时仿真,从本质上揭示出了铝栅CMP的工作原理。
申请公布号 CN103020384B 申请公布日期 2015.03.04
申请号 CN201210581850.6 申请日期 2012.12.27
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 徐勤志;陈岚
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 王宝筠
主权项 一种铝栅CMP化学反应动力学的仿真方法,其特征在于,包括步骤:基于铝栅CMP化学反应动力学模型,优化铝栅CMP的研磨液中各组分浓度;基于所述铝栅CMP化学反应动力学模型和优化后的所述铝栅CMP的研磨液中各组分浓度,对铝栅进行预定时间段的仿真,预测铝栅表面高度的变化量;基于预测得到的所述铝栅表面高度的变化量,获取铝栅表面的仿真金属碟形值和仿真介质侵蚀值;所述铝栅CMP化学反应动力学模型为:<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><mi>MRR</mi><mrow><mo>(</mo><mi>x</mi><mo>,</mo><mi>y</mi><mo>,</mo><mi>t</mi><mo>)</mo></mrow><mo>=</mo><mfrac><mi>M</mi><msub><mi>&rho;</mi><mn>0</mn></msub></mfrac><mfrac><mrow><mrow><mo>(</mo><msub><mi>k</mi><mn>6</mn></msub><msub><mi>k</mi><mn>2</mn></msub><mo>+</mo><msub><mi>k</mi><mn>2</mn></msub><msub><mi>k</mi><mn>3</mn></msub><mo>[</mo><mi>Oxi</mi><mo>]</mo><mrow><mo>(</mo><mi>x</mi><mo>.</mo><mi>y</mi><mo>.</mo><mi>t</mi><mo>)</mo></mrow><mo>)</mo></mrow><mrow><mo>(</mo><msub><mi>k</mi><mn>4</mn></msub><mo>[</mo><mi>CA</mi><mo>]</mo><mrow><mo>(</mo><mi>x</mi><mo>,</mo><mi>y</mi><mo>,</mo><mi>t</mi><mo>)</mo></mrow><mo>+</mo><msub><mi>k</mi><mn>5</mn></msub><mo>)</mo></mrow></mrow><mrow><msub><mi>k</mi><mn>2</mn></msub><msub><mi>k</mi><mn>3</mn></msub><mo>[</mo><mi>Oxi</mi><mo>]</mo><mrow><mo>(</mo><mi>x</mi><mo>.</mo><mi>y</mi><mo>.</mo><mi>t</mi><mo>)</mo></mrow><mo>+</mo><mrow><mo>(</mo><msub><mi>k</mi><mn>2</mn></msub><mo>+</mo><msub><mi>k</mi><mn>1</mn></msub><mo>[</mo><mi>In</mi><mo>]</mo><mrow><mo>(</mo><mi>x</mi><mo>,</mo><mi>y</mi><mo>,</mo><mi>t</mi><mo>)</mo></mrow><mo>)</mo></mrow><mrow><mo>(</mo><msub><mi>k</mi><mn>4</mn></msub><mo>[</mo><mi>CA</mi><mo>]</mo><mrow><mo>(</mo><mi>x</mi><mo>,</mo><mi>y</mi><mo>,</mo><mi>t</mi><mo>)</mo></mrow><mo>+</mo><msub><mi>k</mi><mn>5</mn></msub><mo>)</mo></mrow></mrow></mfrac><mo>;</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000601969030000011.GIF" wi="1623" he="168" /></maths>其中,MRR(x,y,t)为铝栅研磨去除率,M为铝的原子质量,ρ<sub>0</sub>为铝的密度,[Oxi](x,y,t)为研磨液中氧化剂的浓度,[In](x,y,t)为研磨液中抑制剂的浓度,[CA](x,y,t)为研磨液中螯合剂的浓度,k<sub>i</sub>为化学反应速率常数,i=1,……,6,x为选定坐标系沿x轴方向的坐标值,y为选定坐标系沿y轴方向的坐标值,t为铝栅CMP的仿真时间。
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号