硅台面半导体器件的PN结保护方法

摘要

硅台面半导体器件的PN结保护方法，涉及半导体器件的PN结保护工艺技术领域，在完成了扩散工序的硅片表面采用气相沉积法覆盖SIPOS薄膜，并采用掩膜的方法，去除多余的SIPOS薄膜，只在PN结表面保留SIPOS薄膜；再将玻璃粉的稀释混合液涂敷在硅片表面，低温焙烧后，去除多余的玻璃粉，再将硅片置于扩散炉内，在O₂气氛中烧结。本发明采用半绝缘多晶硅（SIPOS）叠加玻璃钝化膜代替传统单一的玻璃钝化膜直接对台面半导体器件进行PN结表面保护的工艺方法，以提高钝化效果。

主权项

硅台面半导体器件的PN结保护方法，包括以下步骤：1）在完成了扩散工序的硅片表面采用气相沉积法覆盖SIPOS薄膜：将完成扩散和台面成型的硅片清洗干净并甩干后，装入载片舟，在CVD炉内温度为650±20℃的条件下，无氧条件下，将SiH₄、N₂O的混合液进行汽化处理，然后将硅片载片舟拉出，取下硅片；再采用掩膜的方法，去除多余的SIPOS薄膜，只在PN结表面保留SIPOS薄膜：采用化学清洗剂对硅片进行清洗并甩干后，再在硅片的表面覆盖厚度为2～3μm的光刻胶，将硅片装入片架，并置于90±5℃的烘箱内处理30±5分钟，取出片架，选择性曝光、显影，再将硅片片架置于150±5℃的烘箱内处理30±5分钟后取出；再经腐蚀窗口、去除光光刻胶，则在硅片的PN结表面沉积了SIPOS薄膜；2）采用化学清洗剂对硅片进行清洗并甩干后，在硅片的表面均匀涂敷玻璃粉的稀释混合液层，并装入载片舟，在扩散炉中低温焙烧20±2分钟；其特征在于：步骤1）中，经CVD炉处理60±5分钟后，在硅片上覆盖的SIPOS薄膜厚度为1～2μm；所述SiH₄、N₂O的混合液的混合投料质量比为85～90 :10～15；步骤2）中，所述低温焙烧时的温度为470±5℃，并在O₂气氛中焙烧；在扩散炉中低温焙烧后，再将载片舟拉出扩散炉，去除硅片表面多余的玻璃粉，再将硅片装上载片舟，置于炉内温度为820±5℃的扩散炉中，在O₂气氛中烧结20±2分钟，然后取出硅片；所述玻璃粉的稀释混合液由乙基纤维素和玻璃粉以2.5 :1的质量比混合组成。